BLF6G10LS-200RN MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BLF6G10LS-200RN
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 28 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT502B

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BLF6G10LS-200RN

BLF6G10LS-200RN Datasheet (PDF)

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BLF6G10-200RN; BLF6G10LS-200RNPower LDMOS transistorRev. 02 21 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description200 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz.Table 1. Typical performanceTypical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit.Mode of operation f VDS PL(AV) G

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BLF6G10-160RN; BLF6G10LS-160RNPower LDMOS transistorRev. 02 21 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz.Table 1. Typical performanceTypical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit.Mode of operation f VDS PL(AV) G

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BLF6G10-135RN; BLF6G10LS-135RNPower LDMOS transistorRev. 02 21 January 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description135 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz.Table 1. Typical performanceTypical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit.Mode of operation f VDS PL(AV) G

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