BLF8G10L-160 Todos los transistores

 

BLF8G10L-160 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLF8G10L-160
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT502A
 

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BLF8G10L-160 Datasheet (PDF)

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BLF8G10L-160

BLF8G10L-160; BLF8G10LS-160Power LDMOS transistorRev. 3 16 February 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General description160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 920 MHz to 960 MHz.Table 1. Typical performanceTypical RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit.Test signal f IDq VDS

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History: NCEP6012AS | BLF7G27L-75P | 2SK1717 | 2SK1751-Z | IRF7324D1PBF | BLF878 | TDM3428B

 

 
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