Справочник MOSFET. BLF8G10L-160

 

BLF8G10L-160 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLF8G10L-160
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: SOT502A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLF8G10L-160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:676K  nxp
 blf8g10l-160 8g10ls-160.pdf pdf_icon

BLF8G10L-160

BLF8G10L-160; BLF8G10LS-160Power LDMOS transistorRev. 3 16 February 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General description160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 920 MHz to 960 MHz.Table 1. Typical performanceTypical RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit.Test signal f IDq VDS

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.