Справочник MOSFET. BLF8G10L-160

 

BLF8G10L-160 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BLF8G10L-160
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: SOT502A

 Аналог (замена) для BLF8G10L-160

 

 

BLF8G10L-160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:676K  nxp
 blf8g10l-160 8g10ls-160.pdf

BLF8G10L-160 BLF8G10L-160

BLF8G10L-160; BLF8G10LS-160Power LDMOS transistorRev. 3 16 February 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General description160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 920 MHz to 960 MHz.Table 1. Typical performanceTypical RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit.Test signal f IDq VDS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top