BLF8G10LS-160 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLF8G10LS-160
Tipo de FET: LDMOS
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 37 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.086 Ohm
Encapsulados: SOT502B
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BLF8G10LS-160 datasheet
blf8g10l-160 8g10ls-160.pdf
BLF8G10L-160; BLF8G10LS-160 Power LDMOS transistor Rev. 3 16 February 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 920 MHz to 960 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit. Test signal f IDq VDS
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