Справочник MOSFET. BLF8G10LS-160

 

BLF8G10LS-160 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLF8G10LS-160
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: SOT502B
 

 Аналог (замена) для BLF8G10LS-160

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLF8G10LS-160 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:676K  nxp
 blf8g10l-160 8g10ls-160.pdf pdf_icon

BLF8G10LS-160

BLF8G10L-160; BLF8G10LS-160Power LDMOS transistorRev. 3 16 February 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General description160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 920 MHz to 960 MHz.Table 1. Typical performanceTypical RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit.Test signal f IDq VDS

Другие MOSFET... BLF884P , BLF884PS , BLF888 , BLF888A , BLF888AS , BLF888B , BLF888BS , BLF8G10L-160 , 50N06 , BLL1214-250 , BLL1214-250R , BLL1214-35 , BLL6H0514-25 , BLL6H0514L-130 , BLL6H0514LS-130 , BLL6H1214-500 , BLL6H1214L-250 .

History: UPA2762UGR | ZXMN3A06DN8 | KP505B | 10N60L-TQ2-R | JCS4N80F | INJ0312AP1 | WM03N115A

 

 
Back to Top

 


 
.