Справочник MOSFET. BLF8G10LS-160

 

BLF8G10LS-160 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BLF8G10LS-160
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm
   Тип корпуса: SOT502B

 Аналог (замена) для BLF8G10LS-160

 

 

BLF8G10LS-160 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:676K  nxp
 blf8g10l-160 8g10ls-160.pdf

BLF8G10LS-160 BLF8G10LS-160

BLF8G10L-160; BLF8G10LS-160Power LDMOS transistorRev. 3 16 February 2012 Product data sheet1. Product profile1.1 General description160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 920 MHz to 960 MHz.Table 1. Typical performanceTypical RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit.Test signal f IDq VDS

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top