BLF8G10LS-160 - описание и поиск аналогов

 

BLF8G10LS-160. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLF8G10LS-160

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 37 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.086 Ohm

Тип корпуса: SOT502B

Аналог (замена) для BLF8G10LS-160

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLF8G10LS-160 даташит

 6.1. Size:676K  nxp
 blf8g10l-160 8g10ls-160.pdf pdf_icon

BLF8G10LS-160

BLF8G10L-160; BLF8G10LS-160 Power LDMOS transistor Rev. 3 16 February 2012 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 160 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from 920 MHz to 960 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at Tcase = 25 C in a common source class-AB production test circuit. Test signal f IDq VDS

Другие MOSFET... BLF884P , BLF884PS , BLF888 , BLF888A , BLF888AS , BLF888B , BLF888BS , BLF8G10L-160 , 50N06 , BLL1214-250 , BLL1214-250R , BLL1214-35 , BLL6H0514-25 , BLL6H0514L-130 , BLL6H0514LS-130 , BLL6H1214-500 , BLL6H1214L-250 .

History: H12N60F | MTW32N25E

 

 

 

 

↑ Back to Top
.