BLL1214-35 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLL1214-35
Tipo de FET: LDMOS
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 36 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
Encapsulados: SOT467C
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BLL1214-35 datasheet
bll1214-35.pdf
DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D381 BLL1214-35 L-band radar LDMOS driver transistor Product specification 2002 Sep 27 Philips Semiconductors Product specification L-band radar LDMOS driver transistor BLL1214-35 FEATURES PINNING - SOT467C High power gain PIN DESCRIPTION Easy power control 1 drain Excellent ruggedness 2 gate Source on mounting base eliminate
bll1214-250r.pdf
BLL1214-250R LDMOS L-band radar power transistor Rev. 01 4 February 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Silicon N-channel enhancement model LDMOS power transistor encapsulated in a 2-lead flange package (SOT502A) with a ceramic cap. The common source is connected to the flange. Table 1. Test information Typical RF performance at Th =25 C; tp = 1 ms
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