BLL1214-35 - описание и поиск аналогов

 

BLL1214-35. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLL1214-35

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 36 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm

Тип корпуса: SOT467C

Аналог (замена) для BLL1214-35

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLL1214-35 даташит

 ..1. Size:64K  philips
 bll1214-35.pdf pdf_icon

BLL1214-35

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D381 BLL1214-35 L-band radar LDMOS driver transistor Product specification 2002 Sep 27 Philips Semiconductors Product specification L-band radar LDMOS driver transistor BLL1214-35 FEATURES PINNING - SOT467C High power gain PIN DESCRIPTION Easy power control 1 drain Excellent ruggedness 2 gate Source on mounting base eliminate

 6.1. Size:133K  philips
 bll1214-250r.pdf pdf_icon

BLL1214-35

BLL1214-250R LDMOS L-band radar power transistor Rev. 01 4 February 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Silicon N-channel enhancement model LDMOS power transistor encapsulated in a 2-lead flange package (SOT502A) with a ceramic cap. The common source is connected to the flange. Table 1. Test information Typical RF performance at Th =25 C; tp = 1 ms

 6.2. Size:79K  philips
 bll1214-250.pdf pdf_icon

BLL1214-35

Другие MOSFET... BLF888A , BLF888AS , BLF888B , BLF888BS , BLF8G10L-160 , BLF8G10LS-160 , BLL1214-250 , BLL1214-250R , IRF640 , BLL6H0514-25 , BLL6H0514L-130 , BLL6H0514LS-130 , BLL6H1214-500 , BLL6H1214L-250 , BLL6H1214LS-250 , BLM6G10-30 , BLM6G10-30G .

History: MTW8N50E | BLL1214-250R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.