BLS2933-100 Todos los transistores

 

BLS2933-100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLS2933-100
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 32 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT502A
 

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BLS2933-100 Datasheet (PDF)

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BLS2933-100

BLS2933-100Microwave power LDMOS transistorRev. 01 1 August 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General description100 W LDMOS power transistor (at a supply voltage of 32 V) for S-band radar applicationsin the 2.9 GHz to 3.3 GHz frequency range.Table 1: Typical performancetp = 200 s; = 12 %; Tcase =25 C; in a class-AB production test circuit.Mode of operati

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History: SVD50N06T

 

 
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