BLS2933-100 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLS2933-100
Tipo de FET: LDMOS
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 32 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Encapsulados: SOT502A
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BLS2933-100 datasheet
bls2933-100.pdf
BLS2933-100 Microwave power LDMOS transistor Rev. 01 1 August 2006 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 100 W LDMOS power transistor (at a supply voltage of 32 V) for S-band radar applications in the 2.9 GHz to 3.3 GHz frequency range. Table 1 Typical performance tp = 200 s; = 12 %; Tcase =25 C; in a class-AB production test circuit. Mode of operati
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History: NTD5862N-1G | BLF879P
History: NTD5862N-1G | BLF879P
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