BLS2933-100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BLS2933-100
Tipo de FET: LDMOS
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 32 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.09 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT502A
Búsqueda de reemplazo de BLS2933-100 MOSFET
BLS2933-100 Datasheet (PDF)
bls2933-100.pdf

BLS2933-100Microwave power LDMOS transistorRev. 01 1 August 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General description100 W LDMOS power transistor (at a supply voltage of 32 V) for S-band radar applicationsin the 2.9 GHz to 3.3 GHz frequency range.Table 1: Typical performancetp = 200 s; = 12 %; Tcase =25 C; in a class-AB production test circuit.Mode of operati
Otros transistores... BLL6H1214LS-250 , BLM6G10-30 , BLM6G10-30G , BLM6G22-30 , BLM6G22-30G , 2SK1745 , 2SK60 , 2SJ238 , 2SK3878 , BLS6G2731-120 , BLS6G2731-6G , 2SJ559 , BLS6G2731S-120 , BLS6G2731S-130 , BLS6G2735L-30 , BLS6G2735LS-30 , BLS6G2933P-200 .
History: SVD50N06T
History: SVD50N06T



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135