BLS2933-100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BLS2933-100
Тип транзистора: LDMOS
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 32 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT502A
Аналог (замена) для BLS2933-100
BLS2933-100 Datasheet (PDF)
bls2933-100.pdf

BLS2933-100Microwave power LDMOS transistorRev. 01 1 August 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General description100 W LDMOS power transistor (at a supply voltage of 32 V) for S-band radar applicationsin the 2.9 GHz to 3.3 GHz frequency range.Table 1: Typical performancetp = 200 s; = 12 %; Tcase =25 C; in a class-AB production test circuit.Mode of operati
Другие MOSFET... BLL6H1214LS-250 , BLM6G10-30 , BLM6G10-30G , BLM6G22-30 , BLM6G22-30G , 2SK1745 , 2SK60 , 2SJ238 , 2SK3878 , BLS6G2731-120 , BLS6G2731-6G , 2SJ559 , BLS6G2731S-120 , BLS6G2731S-130 , BLS6G2735L-30 , BLS6G2735LS-30 , BLS6G2933P-200 .
History: NDP05N50Z | UTT30N10 | AK5N60S | SI4953 | NCEP85T25 | 2SK4097LS
History: NDP05N50Z | UTT30N10 | AK5N60S | SI4953 | NCEP85T25 | 2SK4097LS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135