Справочник MOSFET. BLS2933-100

 

BLS2933-100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLS2933-100
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 32 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
   Тип корпуса: SOT502A
 

 Аналог (замена) для BLS2933-100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLS2933-100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:80K  philips
 bls2933-100.pdf pdf_icon

BLS2933-100

BLS2933-100Microwave power LDMOS transistorRev. 01 1 August 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General description100 W LDMOS power transistor (at a supply voltage of 32 V) for S-band radar applicationsin the 2.9 GHz to 3.3 GHz frequency range.Table 1: Typical performancetp = 200 s; = 12 %; Tcase =25 C; in a class-AB production test circuit.Mode of operati

Другие MOSFET... BLL6H1214LS-250 , BLM6G10-30 , BLM6G10-30G , BLM6G22-30 , BLM6G22-30G , 2SK1745 , 2SK60 , 2SJ238 , 2SK3878 , BLS6G2731-120 , BLS6G2731-6G , 2SJ559 , BLS6G2731S-120 , BLS6G2731S-130 , BLS6G2735L-30 , BLS6G2735LS-30 , BLS6G2933P-200 .

History: 2SK3716-Z | STP22NM60N

 

 
Back to Top

 


 
.