BLS2933-100 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BLS2933-100
Тип транзистора: LDMOS
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 32 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.09 Ohm
Тип корпуса: SOT502A
Аналог (замена) для BLS2933-100
BLS2933-100 Datasheet (PDF)
bls2933-100.pdf

BLS2933-100Microwave power LDMOS transistorRev. 01 1 August 2006 Product data sheet1. Product profile1.1 General description100 W LDMOS power transistor (at a supply voltage of 32 V) for S-band radar applicationsin the 2.9 GHz to 3.3 GHz frequency range.Table 1: Typical performancetp = 200 s; = 12 %; Tcase =25 C; in a class-AB production test circuit.Mode of operati
Другие MOSFET... BLL6H1214LS-250 , BLM6G10-30 , BLM6G10-30G , BLM6G22-30 , BLM6G22-30G , 2SK1745 , 2SK60 , 2SJ238 , IRF630 , BLS6G2731-120 , BLS6G2731-6G , 2SJ559 , BLS6G2731S-120 , BLS6G2731S-130 , BLS6G2735L-30 , BLS6G2735LS-30 , BLS6G2933P-200 .
History: ELM34423AA | SSF84W | SSD95N03 | MEM2313 | 2SK2231 | SSF6816
History: ELM34423AA | SSF84W | SSD95N03 | MEM2313 | 2SK2231 | SSF6816



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
mj15003 | 2sa1015 | ksc3503 | c945 transistor datasheet | bt137 datasheet | 2n2907a datasheet | irfz24n | bd135