BSH121 Todos los transistores

 

BSH121 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSH121
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC70
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSH121 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:297K  philips
 bsh121-01.pdf pdf_icon

BSH121

BSH121N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 14 August 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSH121 in SOT323.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.

 9.1. Size:357K  philips
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BSH121

BSH120TN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 06 September 2000 Product specificationM3D1861. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSH120T in SOT54 (TO-92).2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Very fast switching Logic level com

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History: MEM2302XG-N | PHD55N03LTA | APT8024LLLG | IXFM13N80 | 2SK1925 | IRFL024ZPBF | FQD10N20LTM

 

 
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