BSH121 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSH121
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.7 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
Encapsulados: SC70
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BSH121 datasheet
bsh121-01.pdf
BSH121 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 14 August 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH121 in SOT323. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.
bsh120t-01.pdf
BSH120T N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 06 September 2000 Product specification M3D186 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH120T in SOT54 (TO-92). 2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Very fast switching Logic level com
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