BSH121 - аналоги и даташиты транзистора

 

BSH121 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSH121
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: SC70
 

 Аналог (замена) для BSH121

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSH121 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:297K  philips
 bsh121-01.pdf pdf_icon

BSH121

BSH121N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 14 August 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSH121 in SOT323.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.

 9.1. Size:357K  philips
 bsh120t-01.pdf pdf_icon

BSH121

BSH120TN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 01 06 September 2000 Product specificationM3D1861. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSH120T in SOT54 (TO-92).2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Very fast switching Logic level com

Другие MOSFET... BLS7G3135L-350P , BLS7G3135LS-350P , 2SK3408 , BSH103 , BSH105 , BSH108 , BSH111 , BSH114 , IRF530 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , BSP030 , BSP100 , BSP110 .

History: R6576ENZ1 | ATM2306NSA | FDV302P | AP4953 | AP8205A

 

 
Back to Top

 


 
.