BSH121 - описание и поиск аналогов

 

BSH121. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSH121

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: SC70

Аналог (замена) для BSH121

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSH121 даташит

 0.1. Size:297K  philips
 bsh121-01.pdf pdf_icon

BSH121

BSH121 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 14 August 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH121 in SOT323. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Low threshold voltage Subminiature surface mount package.

 9.1. Size:357K  philips
 bsh120t-01.pdf pdf_icon

BSH121

BSH120T N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 01 06 September 2000 Product specification M3D186 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSH120T in SOT54 (TO-92). 2. Features TrenchMOS technology Low on-state resistance Very fast switching Logic level com

Другие MOSFET... BLS7G3135L-350P , BLS7G3135LS-350P , 2SK3408 , BSH103 , BSH105 , BSH108 , BSH111 , BSH114 , IRF530 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , BSP030 , BSP100 , BSP110 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.