BSP100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSP100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.8 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC73

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSP100

BSP100 Datasheet (PDF)

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bsp100 3.pdf

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode BSP100 TrenchMOS transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Low on-state resistance Fast switching ID = 6 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)sGENERAL

..2. Size:111K philips
bsp100.pdf

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bsp108.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP108N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP108D-MOS transistorDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max. 80 Vvertical D-

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bsp107.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP107N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP107D-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER MAX. UNITetc. due to l

9.3. Size:65K philips
bsp106.pdf

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP106N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP106D-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Very low RDS(on)SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX. UNIT Direct interf

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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