BSP100 Todos los transistores

 

BSP100 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSP100
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: SC73
     - Selección de transistores por parámetros

 

BSP100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  philips
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BSP100

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode BSP100 TrenchMOS transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Low on-state resistance Fast switching ID = 6 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)sGENERAL

 ..2. Size:111K  philips
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BSP100

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode BSP100 TrenchMOS transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Low on-state resistance Fast switching ID = 6 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)sGENERAL

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BSP100

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP108N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP108D-MOS transistorDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max. 80 Vvertical D-

 9.2. Size:65K  philips
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BSP100

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP107N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP107D-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER MAX. UNITetc. due to l

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History: DH100P25E | IXTY2N100P | SM7580NSF | IXTH27N40MB | FRS130R | HUFA75545P3 | WSD80100DN56

 

 
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