Справочник MOSFET. BSP100

 

BSP100 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSP100
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 8.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SC73
 

 Аналог (замена) для BSP100

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:88K  philips
 bsp100 3.pdf pdf_icon

BSP100

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode BSP100 TrenchMOS transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Low on-state resistance Fast switching ID = 6 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)sGENERAL

 ..2. Size:111K  philips
 bsp100.pdf pdf_icon

BSP100

Philips Semiconductors Product specification N-channel enhancement mode BSP100 TrenchMOS transistorFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Low on-state resistance Fast switching ID = 6 A High thermal cycling performance Low thermal resistance RDS(ON) 100 m (VGS = 10 V)gRDS(ON) 200 m (VGS = 4.5 V)sGENERAL

 9.1. Size:64K  philips
 bsp108.pdf pdf_icon

BSP100

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP108N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP108D-MOS transistorDESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement modeDrain-source voltage VDS max. 80 Vvertical D-

 9.2. Size:65K  philips
 bsp107.pdf pdf_icon

BSP100

DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETBSP107N-channel enhancement modevertical D-MOS transistorApril 1995Product specificationFile under Discrete Semiconductors, SC13bPhilips Semiconductors Product specificationN-channel enhancement mode verticalBSP107D-MOS transistorFEATURES QUICK REFERENCE DATA Direct interface to C-MOS, TTL,SYMBOL PARAMETER MAX. UNITetc. due to l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSH114 , BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , BSP030 , P60NF06 , BSP110 , BSP122 , BSP126 , BSP130 , BSP220 , BSP225 , BSP230 , BSP250 .

History: WMB115N15LG4 | TPA60R580C | UF830KL-TN3-R | WMB099N10HGS | SMC3407 | PP9H06BV | TK4A65DA

 

 
Back to Top

 


 
.