BSP110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSP110
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.52 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Encapsulados: SOT223
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BSP110 datasheet
bsp110.pdf
BSP110 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 03 26 July 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSP110 in SOT223. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Surface mount package. 3. Application
bsp110.pdf
BSP110 www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs 100 0.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SOT-223 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOL
Otros transistores... BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , BSP030 , BSP100 , BS170 , BSP122 , BSP126 , BSP130 , BSP220 , BSP225 , BSP230 , BSP250 , BSP89 .
History: SMG3403
History: SMG3403
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