BSP110 - аналоги и даташиты транзистора

 

BSP110 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSP110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для BSP110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  philips
 bsp110.pdf pdf_icon

BSP110

BSP110N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 26 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSP110 in SOT223.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Surface mount package.3. Application

 ..2. Size:813K  cn vbsemi
 bsp110.pdf pdf_icon

BSP110

BSP110www.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs1000.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOL

Другие MOSFET... BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , BSP030 , BSP100 , CS150N03A8 , BSP122 , BSP126 , BSP130 , BSP220 , BSP225 , BSP230 , BSP250 , BSP89 .

History: FDS4141 | AP3310GH | SWU12N70D | BSP030 | SWD7N65DA | CS3N20ATH | STB100N6F7

 

 
Back to Top

 


 
.