Справочник MOSFET. BSP110

 

BSP110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSP110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.52 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для BSP110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:271K  philips
 bsp110.pdf pdf_icon

BSP110

BSP110N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 26 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BSP110 in SOT223.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Surface mount package.3. Application

 ..2. Size:813K  cn vbsemi
 bsp110.pdf pdf_icon

BSP110

BSP110www.VBsemi.twN-Channel 100-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs1000.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECDSOT-223D GSDGSN-Channel MOSFET ABSOL

Другие MOSFET... BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , BSP030 , BSP100 , 18N50 , BSP122 , BSP126 , BSP130 , BSP220 , BSP225 , BSP230 , BSP250 , BSP89 .

History: 15N65G-TA3-T | CEU04N65 | CED540L | MCH3914 | ELM14425AA | HMS100N85D | LSF80R980GT

 

 
Back to Top

 


 
.