BSP110 - описание и поиск аналогов

 

BSP110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSP110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.52 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для BSP110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSP110 даташит

 ..1. Size:271K  philips
 bsp110.pdf pdf_icon

BSP110

BSP110 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 03 26 July 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BSP110 in SOT223. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Surface mount package. 3. Application

 ..2. Size:813K  cn vbsemi
 bsp110.pdf pdf_icon

BSP110

BSP110 www.VBsemi.tw N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Definition 0.100 at VGS = 10 V 5.0 TrenchFET Power MOSFETs 100 0.120 at VGS = 4.5 V 4.5 175 C Maximum Junction Temperature Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC D SOT-223 D G S D G S N-Channel MOSFET ABSOL

Другие MOSFET... BSH121 , BSH201 , BSH202 , BSH203 , BSH205 , BSH207 , BSP030 , BSP100 , BS170 , BSP122 , BSP126 , BSP130 , BSP220 , BSP225 , BSP230 , BSP250 , BSP89 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.