BST82 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BST82
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.19 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
Encapsulados: TO236AB
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BST82 datasheet
bst82.pdf
Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain
bst82-03.pdf
BST82 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 03 26 July 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BST82 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package. 3. A
Otros transistores... BSS83 , BSS84AK , BSS84AKM , BSS84AKS , BSS84AKT , BSS84AKV , BSS84AKW , BSS87 , IRF1405 , BUK6207-55C , BUK6209-30C , BUK6210-55C , BUK6211-75C , BUK6212-40C , BUK6213-30A , BUK6213-30C , BUK6215-75C .
History: BSZ100N03LSG
History: BSZ100N03LSG
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