BST82 Todos los transistores

 

BST82 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BST82
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.19 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 10 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO236AB
 

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   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BST82 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  nxp
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BST82

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 0.1. Size:269K  philips
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BST82

BST82N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 26 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BST82 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package.3. A

Otros transistores... BSS83 , BSS84AK , BSS84AKM , BSS84AKS , BSS84AKT , BSS84AKV , BSS84AKW , BSS87 , NCEP15T14 , BUK6207-55C , BUK6209-30C , BUK6210-55C , BUK6211-75C , BUK6212-40C , BUK6213-30A , BUK6213-30C , BUK6215-75C .

History: BUK7E07-55B | APM7326J | BUK754R3-40B | MDHT7N25URH | 2SK2936 | AP9560GP-HF | STW32N65M5

 

 
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