BST82 - описание и поиск аналогов

 

BST82. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BST82

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.19 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm

Тип корпуса: TO236AB

Аналог (замена) для BST82

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BST82 даташит

 ..1. Size:367K  nxp
 bst82.pdf pdf_icon

BST82

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 0.1. Size:269K  philips
 bst82-03.pdf pdf_icon

BST82

BST82 N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 03 26 July 2000 Product specification 1. Description N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability BST82 in SOT23. 2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package. 3. A

Другие MOSFET... BSS83 , BSS84AK , BSS84AKM , BSS84AKS , BSS84AKT , BSS84AKV , BSS84AKW , BSS87 , IRF1405 , BUK6207-55C , BUK6209-30C , BUK6210-55C , BUK6211-75C , BUK6212-40C , BUK6213-30A , BUK6213-30C , BUK6215-75C .

History: BSZ060NE2LS

 

 

 

 

↑ Back to Top
.