Справочник MOSFET. BST82

 

BST82 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BST82
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.19 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 10 Ohm
   Тип корпуса: TO236AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BST82 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  nxp
bst82.pdfpdf_icon

BST82

Important notice Dear Customer, On 7 February 2017 the former NXP Standard Product business became a new company with the tradename Nexperia. Nexperia is an industry leading supplier of Discrete, Logic and PowerMOS semiconductors with its focus on the automotive, industrial, computing, consumer and wearable application markets In data sheets and application notes which still contain

 0.1. Size:269K  philips
bst82-03.pdfpdf_icon

BST82

BST82N-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 03 26 July 2000 Product specification1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:BST82 in SOT23.2. Features TrenchMOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package.3. A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: SI2374DS | SDF320JAB | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | H7N0405LM

 

 
Back to Top

 


 
.