40600 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 40600 📄📄

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm

Encapsulados: TO72

Búsqueda de reemplazo de 40600 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

40600 datasheet

0.1. Size:128K onsemi
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NSS40600CF8T1G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is impor

0.2. Size:103K onsemi
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NSS40600CF8T1G, SNSS40600CF8T1G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low -40 VOLTS, 7.0 AMPS saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications PNP LOW VCE(

Otros transistores... 3SK87AL, 3SK88, 3SK88K, 3SK88L, 3SK90, 3SK95, 3SK96, 3UT40, IRFZ46N, 40601, 40602, 40603, 40604, 40673, 40819, 40820, 40821

40600 Datasheet. Equivalente