40600 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 40600
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO72

Búsqueda de reemplazo de MOSFET 40600

40600 Datasheet (PDF)

0.1. Size:128K onsemi
nss40600cf8-d.pdf

NSS40600CF8T1G40 V, 7.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is impor

0.2. Size:103K onsemi
nss40600cf8t1g.pdf

NSS40600CF8T1G,SNSS40600CF8T1G40 V, 7.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat) http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra low-40 VOLTS, 7.0 AMPSsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationsPNP LOW VCE(

Otros transistores... 3SK87AL , 3SK88 , 3SK88K , 3SK88L , 3SK90 , 3SK95 , 3SK96 , 3UT40 , SPW47N60C3 , 40601 , 40602 , 40603 , 40604 , 40673 , 40819 , 40820 , 40821 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: