40600 Todos los transistores

 

40600 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 40600
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.05 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 5.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 200 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO72
 

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40600 datasheet

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40600

NSS40600CF8T1G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is impor

 0.2. Size:103K  onsemi
 nss40600cf8t1g.pdf pdf_icon

40600

NSS40600CF8T1G, SNSS40600CF8T1G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low -40 VOLTS, 7.0 AMPS saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications PNP LOW VCE(

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