40600 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: 40600
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.05 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Выходная емкость (Cd): 5.5 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 200 Ohm
Тип корпуса: TO72
40600 Datasheet (PDF)
1.1. nss40600cf8-d.pdf 
Size:128K _onsemi
NSS40600CF8T1G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor’s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http://onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is impor
1.2. nss40600cf8t1g.pdf Size:103K _onsemi
NSS40600CF8T1G, SNSS40600CF8T1G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor’s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http://onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low -40 VOLTS, 7.0 AMPS saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications PNP LOW VCE(
Другие MOSFET... 3SK87AL , 3SK88 , 3SK88K , 3SK88L , 3SK90 , 3SK95 , 3SK96 , 3UT40 , IRFP260M , 40601 , 40602 , 40603 , 40604 , 40673 , 40819 , 40820 , 40821 .
