40600 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 40600  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.05 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 5.5 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 200 Ohm

Тип корпуса: TO72

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для 40600

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

40600 даташит

 0.1. Size:128K  onsemi
 nss40600cf8-d.pdf pdf_icon

40600

NSS40600CF8T1G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These http //onsemi.com are designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is impor

 0.2. Size:103K  onsemi
 nss40600cf8t1g.pdf pdf_icon

40600

NSS40600CF8T1G, SNSS40600CF8T1G 40 V, 7.0 A, Low VCE(sat) PNP Transistor ON Semiconductor s e2PowerEdge family of low VCE(sat) http //onsemi.com transistors are miniature surface mount devices featuring ultra low -40 VOLTS, 7.0 AMPS saturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. These are designed for use in low voltage, high speed switching applications PNP LOW VCE(

Другие IGBT... 3SK87AL, 3SK88, 3SK88K, 3SK88L, 3SK90, 3SK95, 3SK96, 3UT40, AO4468, 40601, 40602, 40603, 40604, 40673, 40819, 40820, 40821