Справочник MOSFET. 40600

 

40600 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: 40600
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.4 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 8 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.05 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Выходная емкость (Cd): 5.5 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 200 Ohm
   Тип корпуса: TO72

 Аналог (замена) для 40600

 

 

40600 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:128K  onsemi
nss40600cf8-d.pdf

40600
40600

NSS40600CF8T1G40 V, 7.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat)transistors are miniature surface mount devices featuring ultra lowsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Thesehttp://onsemi.comare designed for use in low voltage, high speed switching applicationswhere affordable efficient energy control is impor

 0.2. Size:103K  onsemi
nss40600cf8t1g.pdf

40600
40600

NSS40600CF8T1G,SNSS40600CF8T1G40 V, 7.0 A, Low VCE(sat)PNP TransistorON Semiconductors e2PowerEdge family of low VCE(sat) http://onsemi.comtransistors are miniature surface mount devices featuring ultra low-40 VOLTS, 7.0 AMPSsaturation voltage (VCE(sat)) and high current gain capability. Theseare designed for use in low voltage, high speed switching applicationsPNP LOW VCE(

Другие MOSFET... 3SK87AL , 3SK88 , 3SK88K , 3SK88L , 3SK90 , 3SK95 , 3SK96 , 3UT40 , 2N60 , 40601 , 40602 , 40603 , 40604 , 40673 , 40819 , 40820 , 40821 .

 

 
Back to Top