BUK7614-55A Todos los transistores

 

BUK7614-55A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUK7614-55A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 166 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 55 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 73 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

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BUK7614-55A Datasheet (PDF)

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Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7514-55A Standard level FET BUK7614-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vavailable in TO220AB and SOT404 . ID Drain current (DC) 73 AUsing trench tec

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BUK7614-55A BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-55 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 68 Atrench technology the devi

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BUK7614-55A BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-55 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 68 Atrench technology the devi

 6.1. Size:53K  philips
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BUK7614-55A BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-30 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 69 Atrench technology. The devi

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