Справочник MOSFET. BUK7614-55A

 

BUK7614-55A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUK7614-55A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для BUK7614-55A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7614-55A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:68K  philips
 buk7514-55a buk7614-55a.pdf pdf_icon

BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7514-55A Standard level FET BUK7614-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vavailable in TO220AB and SOT404 . ID Drain current (DC) 73 AUsing trench tec

 4.1. Size:52K  philips
 buk7614-55.pdf pdf_icon

BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-55 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 68 Atrench technology the devi

 4.2. Size:55K  philips
 buk7614-55 1.pdf pdf_icon

BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-55 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 68 Atrench technology the devi

 6.1. Size:53K  philips
 buk7614-30 1.pdf pdf_icon

BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-30 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 69 Atrench technology. The devi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BUK7608-55A , BUK7609-55A , BUK7609-75A , BUK7610-100B , BUK7610-55AL , BUK7611-55A , BUK7611-55B , BUK7613-75B , IRFB4227 , BUK7619-100B , BUK761R8-30C , BUK7620-100A , BUK7620-55A , BUK7623-75A , BUK7624-55A , BUK7626-100B , BUK7628-100A .

History: MDH3331RH | BUK7E1R6-30E | AP9952GP-HF | GSM2343A | MDS1656URH | GSM2341 | FQPF90N10V2

 

 
Back to Top

 


 
.