BUK7614-55A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BUK7614-55A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm
Тип корпуса: D2PAK
Аналог (замена) для BUK7614-55A
BUK7614-55A Datasheet (PDF)
buk7514-55a buk7614-55a.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7514-55A Standard level FET BUK7614-55AGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vavailable in TO220AB and SOT404 . ID Drain current (DC) 73 AUsing trench tec
buk7614-55.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-55 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 68 Atrench technology the devi
buk7614-55 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-55 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 Vsuitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 68 Atrench technology the devi
buk7614-30 1.pdf

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-30 Standard level FETGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAN-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNITstandard level field-effect powertransistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 Vsuitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 69 Atrench technology. The devi
Другие MOSFET... BUK7608-55A , BUK7609-55A , BUK7609-75A , BUK7610-100B , BUK7610-55AL , BUK7611-55A , BUK7611-55B , BUK7613-75B , 7N65 , BUK7619-100B , BUK761R8-30C , BUK7620-100A , BUK7620-55A , BUK7623-75A , BUK7624-55A , BUK7626-100B , BUK7628-100A .
History: 7N10 | NCE30ND35Q | SFB052N85C3 | HM50N08 | FDS9435A | TSM2N70CH | NCE30H15BG
History: 7N10 | NCE30ND35Q | SFB052N85C3 | HM50N08 | FDS9435A | TSM2N70CH | NCE30H15BG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
mj15015 | 13003 transistor datasheet | 2n3416 | bdx53c | k3563 | d882p | 2sb1560 | 2n1304