BUK7614-55A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK7614-55A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 166 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 73 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.014 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK7614-55A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK7614-55A даташит

 ..1. Size:68K  philips
 buk7514-55a buk7614-55a.pdf pdf_icon

BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7514-55A Standard level FET BUK7614-55A GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V available in TO220AB and SOT404 . ID Drain current (DC) 73 A Using trench tec

 4.1. Size:52K  philips
 buk7614-55.pdf pdf_icon

BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-55 Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 68 A trench technology the devi

 4.2. Size:55K  philips
 buk7614-55 1.pdf pdf_icon

BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-55 Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 55 V suitable for surface mounting. Using ID Drain current (DC) 68 A trench technology the devi

 6.1. Size:53K  philips
 buk7614-30 1.pdf pdf_icon

BUK7614-55A

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor BUK7614-30 Standard level FET GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA N-channel enhancement mode SYMBOL PARAMETER MAX. UNIT standard level field-effect power transistor in a plastic envelope VDS Drain-source voltage 30 V suitable for surface mounting using ID Drain current (DC) 69 A trench technology. The devi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... BUK7608-55A, BUK7609-55A, BUK7609-75A, BUK7610-100B, BUK7610-55AL, BUK7611-55A, BUK7611-55B, BUK7613-75B, 10N60, BUK7619-100B, BUK761R8-30C, BUK7620-100A, BUK7620-55A, BUK7623-75A, BUK7624-55A, BUK7626-100B, BUK7628-100A