BUK9107-55ATE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BUK9107-55ATE
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 272 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0062 Ohm
Paquete / Cubierta: D2PAK
Búsqueda de reemplazo de BUK9107-55ATE MOSFET
BUK9107-55ATE Datasheet (PDF)
buk9107-55ate buk9907-55ate.pdf
BUK91/9907-55ATETrenchPLUS logic level FETRev. 01 7 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on state resistance and TrenchPLUSdiodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperaturesensing.Product availability:BUK9107-55ATE in
buk9120-48tc 3.pdf
Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK9120-48TC Voltage clamped logic level FETwith temperature sensing diodesGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAProtected N-channel enhancement SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNITmode logic level field-effect powertransistor in a plastic envelope V(CL)DSR Drain-source clamp voltage 40 45 55 Vsuitable for surfa
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History: BUK7M45-40E | BUK7M27-80E
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