BUK9107-55ATE. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUK9107-55ATE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для BUK9107-55ATE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9107-55ATE даташит

 ..1. Size:376K  philips
 buk9107-55ate buk9907-55ate.pdf pdf_icon

BUK9107-55ATE

BUK91/9907-55ATE TrenchPLUS logic level FET Rev. 01 7 February 2002 Product data 1. Description N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS technology, featuring very low on state resistance and TrenchPLUS diodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperature sensing. Product availability BUK9107-55ATE in

 9.1. Size:67K  philips
 buk9120-48tc 3.pdf pdf_icon

BUK9107-55ATE

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK9120-48TC Voltage clamped logic level FET with temperature sensing diodes GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA Protected N-channel enhancement SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNIT mode logic level field-effect power transistor in a plastic envelope V(CL)DSR Drain-source clamp voltage 40 45 55 V suitable for surfa

Другие IGBT... BUK7Y20-30B, BUK7Y25-40B, BUK7Y28-75B, BUK7Y33-100B, BUK7Y35-55B, BUK7Y53-100B, BUK7Y54-75B, BUK9107-40ATC, IRFZ48N, BUK9207-30B, BUK9209-40B, BUK9212-55B, BUK9213-30A, BUK9214-30A, BUK92150-55A, BUK9215-55A, BUK9217-75B