BUK9107-55ATE - аналоги и даташиты транзистора

 

BUK9107-55ATE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUK9107-55ATE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 272 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 75 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0062 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для BUK9107-55ATE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUK9107-55ATE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:376K  philips
 buk9107-55ate buk9907-55ate.pdf pdf_icon

BUK9107-55ATE

BUK91/9907-55ATETrenchPLUS logic level FETRev. 01 7 February 2002 Product data1. DescriptionN-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS technology, featuring very low on state resistance and TrenchPLUSdiodes for clamping, ElectroStatic Discharge (ESD) protection and temperaturesensing.Product availability:BUK9107-55ATE in

 9.1. Size:67K  philips
 buk9120-48tc 3.pdf pdf_icon

BUK9107-55ATE

Philips Semiconductors Product specification PowerMOS transistor BUK9120-48TC Voltage clamped logic level FETwith temperature sensing diodesGENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATAProtected N-channel enhancement SYMBOL PARAMETER MIN. TYP. MAX. UNITmode logic level field-effect powertransistor in a plastic envelope V(CL)DSR Drain-source clamp voltage 40 45 55 Vsuitable for surfa

Другие MOSFET... BUK7Y20-30B , BUK7Y25-40B , BUK7Y28-75B , BUK7Y33-100B , BUK7Y35-55B , BUK7Y53-100B , BUK7Y54-75B , BUK9107-40ATC , IRFZ48N , BUK9207-30B , BUK9209-40B , BUK9212-55B , BUK9213-30A , BUK9214-30A , BUK92150-55A , BUK9215-55A , BUK9217-75B .

History: APT10M11B2VFRG | 3SK193Q | 3SK181-6 | RSQ020N03FRA | RJK5002DJE | FDMC010N08C | RJK5013DPP-E0

 

 
Back to Top

 


 
.