2SB333H Todos los transistores

 

2SB333H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB333H
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 55 V
   Tensión emisor-base (Veb): 40 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.125 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: TO36
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SB333H

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SB333H Datasheet (PDF)

 9.1. Size:210K  inchange semiconductor
 2sb337.pdf pdf_icon

2SB333H

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.29V(Typ.) @I = -4ACE(sat) CHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector

Otros transistores... 2SB329 , 2SB33 , 2SB330 , 2SB331 , 2SB331H , 2SB332 , 2SB332H , 2SB333 , 2N4401 , 2SB334 , 2SB334H , 2SB335 , 2SB336 , 2SB337 , 2SB337H , 2SB338 , 2SB338H .

 

 
Back to Top

 


 
.