2SB333H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB333H

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.125 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO36

 Аналоги (замена) для 2SB333H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB333H даташит

 9.1. Size:210K  inchange semiconductor
 2sb337.pdf pdf_icon

2SB333H

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.29V(Typ.) @I = -4A CE(sat) C High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

Другие транзисторы: 2SB329, 2SB33, 2SB330, 2SB331, 2SB331H, 2SB332, 2SB332H, 2SB333, 2SB817, 2SB334, 2SB334H, 2SB335, 2SB336, 2SB337, 2SB337H, 2SB338, 2SB338H