Биполярный транзистор 2SB333H - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB333H
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 55 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.125 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO36
2SB333H Datasheet (PDF)
9.1. Size:210K inchange semiconductor
2sb337.pdf
2sb337.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.29V(Typ.) @I = -4ACE(sat) CHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector
Другие транзисторы... 2SB329 , 2SB33 , 2SB330 , 2SB331 , 2SB331H , 2SB332 , 2SB332H , 2SB333 , 13001-A , 2SB334 , 2SB334H , 2SB335 , 2SB336 , 2SB337 , 2SB337H , 2SB338 , 2SB338H .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050