2SB335 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB335

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.083 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.06 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 0.4 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO1

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2SB335 datasheet

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2SB335

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.29V(Typ.) @I = -4A CE(sat) C High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

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