Справочник транзисторов. 2SB335

 

Биполярный транзистор 2SB335 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB335
   Тип материала: Ge
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.083 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO1
 

 Аналог (замена) для 2SB335

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB335 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:210K  inchange semiconductor
 2sb337.pdf pdf_icon

2SB335

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.29V(Typ.) @I = -4ACE(sat) CHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector

Другие транзисторы... 2SB331 , 2SB331H , 2SB332 , 2SB332H , 2SB333 , 2SB333H , 2SB334 , 2SB334H , 2SD669A , 2SB336 , 2SB337 , 2SB337H , 2SB338 , 2SB338H , 2SB339 , 2SB339H , 2SB34 .

History: RN1107ACT | MG100H2DL1 | BUD48AI | KSC2223R | 2SD1347R | HEPS0020 | IR413

 

 
Back to Top

 


 
.