2SB336 Todos los transistores

 

2SB336 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB336
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.083 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.06 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.4 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
   Paquete / Cubierta: TO1
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SB336

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SB336 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:210K  inchange semiconductor
 2sb337.pdf pdf_icon

2SB336

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337DESCRIPTIONLow Collector Saturation Voltage-: V = -0.29V(Typ.) @I = -4ACE(sat) CHigh Power DissipationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for audio frequency power output applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector

Otros transistores... 2SB331H , 2SB332 , 2SB332H , 2SB333 , 2SB333H , 2SB334 , 2SB334H , 2SB335 , S9013 , 2SB337 , 2SB337H , 2SB338 , 2SB338H , 2SB339 , 2SB339H , 2SB34 , 2SB340 .

History: OC83N | 2SA1653

 

 
Back to Top

 


 
.