2SB336. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB336

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.083 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.06 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.4 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SB336

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB336 даташит

 9.1. Size:210K  inchange semiconductor
 2sb337.pdf pdf_icon

2SB336

isc Silicon PNP Power Transistors 2SB337 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = -0.29V(Typ.) @I = -4A CE(sat) C High Power Dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio frequency power output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector

Другие транзисторы: 2SB331H, 2SB332, 2SB332H, 2SB333, 2SB333H, 2SB334, 2SB334H, 2SB335, 13005, 2SB337, 2SB337H, 2SB338, 2SB338H, 2SB339, 2SB339H, 2SB34, 2SB340