2SB406 Todos los transistores

 

2SB406 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB406
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 37 W
   Tensión colector-base (Vcb): 200 V
   Tensión emisor-base (Veb): 2 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 0.3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
   Paquete / Cubierta: TO3
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SB406 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb407.pdf pdf_icon

2SB406

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB407DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -30V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.) @I = -6ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: AC138-4 | D38S5 | 2SC395AO | HSE1301 | FHTA92-ME | KT969A | HEPS7006

 

 
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