Биполярный транзистор 2SB406 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SB406
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 37 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO3
2SB406 Datasheet (PDF)
9.1. Size:203K inchange semiconductor
2sb407.pdf
2sb407.pdf
isc Silicon PNP Power Transistor 2SB407DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -30V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.) @I = -6ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050