2SB406. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB406

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 37 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SB406

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB406 даташит

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb407.pdf pdf_icon

2SB406

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB407 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -30V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max.) @I = -6A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы: 2SB400, 2SB401, 2SB402, 2SB403, 2SB404, 2SB405, 2SB405K, 2SB405ST, 2N4401, 2SB407, 2SB408, 2SB409, 2SB41, 2SB410, 2SB410AF, 2SB410S, 2SB411