2SB409 Todos los transistores

 

2SB409 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB409
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 75 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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2SB409 Datasheet (PDF)

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
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2SB409

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB407DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -30V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -1.0V(Max.) @I = -6ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

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History: TD648 | KT6114E

 

 
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