2SB409. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB409

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 75 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SB409

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB409 даташит

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb407.pdf pdf_icon

2SB409

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB407 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -30V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -1.0V(Max.) @I = -6A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATI

Другие транзисторы: 2SB403, 2SB404, 2SB405, 2SB405K, 2SB405ST, 2SB406, 2SB407, 2SB408, NJW0281G, 2SB41, 2SB410, 2SB410AF, 2SB410S, 2SB411, 2SB411AF, 2SB411S, 2SB412