2SB444H Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB444H

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 18 V

Tensión colector-emisor (Vce): 12 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 1 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: TO1

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2SB444H datasheet

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2SB444H

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB449 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -50V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.7V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier,switching and DC-DC converters appl

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