2SB444H Todos los transistores

 

2SB444H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB444H
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 18 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 12 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 85 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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2SB444H Datasheet (PDF)

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb449.pdf pdf_icon

2SB444H

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB449DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -50V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.7V(Max.) @I = -3ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier,switching and DC-DCconverters appl

Otros transistores... 2SB442 , 2SB442H , 2SB443 , 2SB443A , 2SB443B , 2SB444 , 2SB444A , 2SB444B , 2SC4793 , 2SB445 , 2SB446 , 2SB447 , 2SB448 , 2SB449 , 2SB450 , 2SB450A , 2SB451 .

History: UN1122

 

 
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