2SB444H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB444H

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 18 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 200

Корпус транзистора: TO1

 Аналоги (замена) для 2SB444H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB444H даташит

 9.1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb449.pdf pdf_icon

2SB444H

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB449 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -50V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.7V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier,switching and DC-DC converters appl

Другие транзисторы: 2SB442, 2SB442H, 2SB443, 2SB443A, 2SB443B, 2SB444, 2SB444A, 2SB444B, S9014, 2SB445, 2SB446, 2SB447, 2SB448, 2SB449, 2SB450, 2SB450A, 2SB451