2SB449 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB449
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 22 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 20 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 0.2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO3
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2SB449 Datasheet (PDF)
2sb449.pdf

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB449DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = -50V(Min)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage-: V = -0.7V(Max.) @I = -3ACE(sat) CWide area of safe operationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier,switching and DC-DCconverters appl
Otros transistores... 2SB444 , 2SB444A , 2SB444B , 2SB444H , 2SB445 , 2SB446 , 2SB447 , 2SB448 , 2SA1837 , 2SB450 , 2SB450A , 2SB451 , 2SB452 , 2SB452A , 2SB453 , 2SB454 , 2SB455 .
History: 8550SS | BFY12B | BD602 | 2SA1052D
History: 8550SS | BFY12B | BD602 | 2SA1052D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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