2SB449. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB449

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 22 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SB449

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB449 даташит

 ..1. Size:203K  inchange semiconductor
 2sb449.pdf pdf_icon

2SB449

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB449 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = -50V(Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = -0.7V(Max.) @I = -3A CE(sat) C Wide area of safe operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier,switching and DC-DC converters appl

Другие транзисторы: 2SB444, 2SB444A, 2SB444B, 2SB444H, 2SB445, 2SB446, 2SB447, 2SB448, MJE340, 2SB450, 2SB450A, 2SB451, 2SB452, 2SB452A, 2SB453, 2SB454, 2SB455