2SB595R Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB595R  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 270 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

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2SB595R datasheet

 8.1. Size:69K  wingshing
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2SB595R

2SB595 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER TO-220 Complement to 2SD525 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T =25 ) A Characteristic Symbol Rating Unit Collector-Base Voltage VCBO -100 V Collector-Emitter Voltage VCEO -100 V Emitter-Base voltage VEBO -5 V Collector Current (DC) IC -5 A Collector Dissipation (Tc=25 PC 40 W Ju

 8.2. Size:216K  jmnic
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2SB595R

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB595 DESCRIPTION With TO-220C package Complement to type 2SD525 High breakdown voltage VCEO=-100V Low collector saturation volage VCE(sat)=-2.0V(Max) APPLICATIONS Power amplifier applications Recommend for 30W high fidelity audio frequency amplifier output stage PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emi

 8.3. Size:218K  inchange semiconductor
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2SB595R

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB595 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage V = -2.0(V)(Max)@I = -4A CE(sat) C Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = -100V(Min) (BR)CEO Complement to Type 2SD525 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power amplifier applications. Recommended for 30W high-fidelity aud

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