2SB736BW3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB736BW3  📄📄 

Código: BW3

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 13 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: TO236

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2SB736BW3 datasheet

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2SB736BW3

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2SB736BW3

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB736A SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE 200(TYP) Complimentary to 2SD780A. 1 2 +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter

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2SB736BW3

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB736 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE 200(TYP) Complimentary to 2SD780. 1 2 +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter V

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