2SB736BW3 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB736BW3  📄📄 

Маркировка: BW3

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO236

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB736BW3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB736BW3 даташит

 8.1. Size:183K  nec
 2sb736 2sb736 2sb736a.pdf pdf_icon

2SB736BW3

 8.2. Size:1155K  kexin
 2sb736a.pdf pdf_icon

2SB736BW3

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB736A SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE 200(TYP) Complimentary to 2SD780A. 1 2 +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter

 8.3. Size:1127K  kexin
 2sb736.pdf pdf_icon

2SB736BW3

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB736 SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 High DC current gain hFE 200(TYP) Complimentary to 2SD780. 1 2 +0.05 0.95+0.1 -0.1 0.1 -0.01 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -60 Collector - Emitter V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB731, 2SB733, 2SB734, 2SB736, 2SB736A, 2SB736AR, 2SB736BW1, 2SB736BW2, 2N2222, 2SB736BW4, 2SB736BW5, 2SB736R, 2SB737, 2SB738, 2SB739, 2SB73A, 2SB73B