2SB798DM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2SB798DM
Código: DM
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 160 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 55 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 36 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2SB798DM
2SB798DM Datasheet (PDF)
2sb798dl 2sb798dk.pdf
2SB798PNP-Silicon General use Transistors4 1W 1.0A25V 32 1 2 1 3SOT-89 ApplicationsCan be used for switching and amplifying in various 1 Base 2/4 Collector 3 Emitter electrical and electronic circuit. Maximum ratings Parameters Symbol Rating UnitV VCEO 25Collector-emitter voltage (IB=0) VCBO 30 VCollector-base voltageIE=0 VEBO 6 VEmitter-
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UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB798 P NP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION 1The UTC 2SB798 is designed for audio frequency power amplifier applications, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES * Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)
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SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB7981.70 0.1 Features Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050