2SB798DM Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB798DM

Código: DM

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 55 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 36 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SOT89

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2SB798DM datasheet

 7.1. Size:835K  cn shikues
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2SB798DM

2SB798 PNP-Silicon General use Transistors 4 1W 1.0A 25V 3 2 1 2 1 3 SOT-89 Applications Can be used for switching and amplifying in various 1 Base 2/4 Collector 3 Emitter electrical and electronic circuit. Maximum ratings Parameters Symbol Rating Unit V VCEO 25 Collector-emitter voltage (IB=0) VCBO 30 V Collector-base voltage IE=0 VEBO 6 V Emitter-

 8.1. Size:221K  nec
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2SB798DM

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2SB798DM

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB798 P NP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION 1 The UTC 2SB798 is designed for audio frequency power amplifier applications, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES * Low Collector Saturation Voltage VCE(sat)

 8.3. Size:1353K  kexin
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2SB798DM

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB798 1.70 0.1 Features Low Collector Saturation Voltage VCE(sat)

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