2SB798DM Todos los transistores

 

2SB798DM . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB798DM
   Código: DM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 160 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 55 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 36 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

2SB798DM Datasheet (PDF)

 7.1. Size:835K  cn shikues
 2sb798dl 2sb798dk.pdf pdf_icon

2SB798DM

2SB798PNP-Silicon General use Transistors4 1W 1.0A25V 32 1 2 1 3SOT-89 ApplicationsCan be used for switching and amplifying in various 1 Base 2/4 Collector 3 Emitter electrical and electronic circuit. Maximum ratings Parameters Symbol Rating UnitV VCEO 25Collector-emitter voltage (IB=0) VCBO 30 VCollector-base voltageIE=0 VEBO 6 VEmitter-

 8.1. Size:221K  nec
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2SB798DM

 8.2. Size:175K  utc
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2SB798DM

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB798 P NP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION 1The UTC 2SB798 is designed for audio frequency power amplifier applications, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES * Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)

 8.3. Size:1353K  kexin
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2SB798DM

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB7981.70 0.1 Features Low Collector Saturation Voltage: VCE(sat)

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History: PBSS5240X | BSX77 | 2N5034 | BDT82 | MPS6729 | DTA144ECA | BLX79

 

 
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