2SB798DM datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SB798DM  📄📄 

Маркировка: DM

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 36 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT89

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SB798DM

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB798DM даташит

 7.1. Size:835K  cn shikues
 2sb798dl 2sb798dk.pdf pdf_icon

2SB798DM

2SB798 PNP-Silicon General use Transistors 4 1W 1.0A 25V 3 2 1 2 1 3 SOT-89 Applications Can be used for switching and amplifying in various 1 Base 2/4 Collector 3 Emitter electrical and electronic circuit. Maximum ratings Parameters Symbol Rating Unit V VCEO 25 Collector-emitter voltage (IB=0) VCBO 30 V Collector-base voltage IE=0 VEBO 6 V Emitter-

 8.1. Size:221K  nec
 2sb798.pdf pdf_icon

2SB798DM

 8.2. Size:175K  utc
 2sb798.pdf pdf_icon

2SB798DM

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SB798 P NP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR POWER TRANSISTOR DESCRIPTION 1 The UTC 2SB798 is designed for audio frequency power amplifier applications, especially in Hybrid Integrated Circuits. FEATURES * Low Collector Saturation Voltage VCE(sat)

 8.3. Size:1353K  kexin
 2sb798.pdf pdf_icon

2SB798DM

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB798 1.70 0.1 Features Low Collector Saturation Voltage VCE(sat)

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB793, 2SB793A, 2SB794, 2SB795, 2SB796, 2SB798, 2SB798DK, 2SB798DL, S8050, 2SB799, 2SB799MK, 2SB799ML, 2SB799MM, 2SB80, 2SB800, 2SB800FK, 2SB800FL