2SB80 Todos los transistores

 

2SB80 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB80
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 4 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 60 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 3 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO3
 

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2SB80 Datasheet (PDF)

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2SB80

SMD Type TransistorsPNP Transistors2SB8001.70 0.1 Features High Collector to Emitter Voltage:VCEO>-80V Complement to 2SD10010.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Curr

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