2SB80 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SB80

Material: Ge

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 4 W

Tensión colector-base (Vcb): 25 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 60 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO3

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2SB80 datasheet

 0.1. Size:211K  nec
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 0.3. Size:234K  nec
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2SB80

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB800 1.70 0.1 Features High Collector to Emitter Voltage VCEO>-80V Complement to 2SD1001 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Curr

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