2SB80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB80

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 4 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 60 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SB80

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB80 даташит

 0.1. Size:211K  nec
 2sb800.pdf pdf_icon

2SB80

 0.2. Size:222K  nec
 2sb804.pdf pdf_icon

2SB80

 0.3. Size:234K  nec
 2sb805 2sb806.pdf pdf_icon

2SB80

 0.4. Size:1087K  kexin
 2sb800.pdf pdf_icon

2SB80

SMD Type Transistors PNP Transistors 2SB800 1.70 0.1 Features High Collector to Emitter Voltage VCEO>-80V Complement to 2SD1001 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector - Base Voltage VCBO -80 Collector - Emitter Voltage VCEO -80 V Emitter - Base Voltage VEBO -5 Collector Curr

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB798, 2SB798DK, 2SB798DL, 2SB798DM, 2SB799, 2SB799MK, 2SB799ML, 2SB799MM, BD140, 2SB800, 2SB800FK, 2SB800FL, 2SB800FM, 2SB801, 2SB802, 2SB803, 2SB804