2SB824Q Todos los transistores

 

2SB824Q . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB824Q
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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2SB824Q Datasheet (PDF)

 8.1. Size:113K  sanyo
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2SB824Q

 8.2. Size:206K  jmnic
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2SB824Q

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB824 DESCRIPTION With TO-220 package Low collector-emitter saturation voltage Complement to type 2SD1060 APPLICATIONS Suitable for relay drivers,high-speed Inverters,converters,and other general large-current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Emitter Collector;connected to 2 mounting

 8.3. Size:218K  inchange semiconductor
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2SB824Q

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB824DESCRIPTIONHigh Collector Current: I = -5ACLow Collector Saturation Voltage: V = -0.4V(Max)@I = -3ACE(sat) CWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD1060APPLICATIONSDesigned for relay drivers, high-speed inverters, converters,and other gereral large-current switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

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History: D62T3575 | 2N5691

 

 
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