2SB824Q. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SB824Q

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SB824Q

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB824Q даташит

 8.1. Size:113K  sanyo
 2sb824.pdf pdf_icon

2SB824Q

 8.2. Size:206K  jmnic
 2sb824.pdf pdf_icon

2SB824Q

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB824 DESCRIPTION With TO-220 package Low collector-emitter saturation voltage Complement to type 2SD1060 APPLICATIONS Suitable for relay drivers,high-speed Inverters,converters,and other general large-current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to 2 mounting

 8.3. Size:218K  inchange semiconductor
 2sb824.pdf pdf_icon

2SB824Q

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB824 DESCRIPTION High Collector Current I = -5A C Low Collector Saturation Voltage V = -0.4V(Max)@I = -3A CE(sat) C Wide Area of Safe Operation Complement to Type 2SD1060 APPLICATIONS Designed for relay drivers, high-speed inverters, converters, and other gereral large-current switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SB818, 2SB819, 2SB82, 2SB820, 2SB821, 2SB822, 2SB823, 2SB824, 2N4401, 2SB824R, 2SB824S, 2SB825, 2SB825Q, 2SB825R, 2SB825S, 2SB826, 2SB826Q