2SB828S Todos los transistores

 

2SB828S . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SB828S
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 80 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 12 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 140
   Paquete / Cubierta: TO218
 

 Búsqueda de reemplazo de 2SB828S

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

2SB828S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:98K  sanyo
 2sb828.pdf pdf_icon

2SB828S

 8.2. Size:213K  jmnic
 2sb828.pdf pdf_icon

2SB828S

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB828 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SD1064 Low collector saturation voltage Wide area of safe operation APPLICATIONS Relay drivers,high-speed inverters, converters,and other general high- current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2

 8.3. Size:220K  inchange semiconductor
 2sb828.pdf pdf_icon

2SB828S

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB828DESCRIPTIONHigh Collector Current:: I = -12ACLow Collector Saturation Voltage: V = -0.5V(Max)@I = -6ACE(sat) CWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD1064Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers,high-speed inverters,converters,and o

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: DRA3123J | NB221X | ME6102

 

 
Back to Top

 


 
.