Справочник транзисторов. 2SB828S

 

Биполярный транзистор 2SB828S Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SB828S
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO218
 

 Аналог (замена) для 2SB828S

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SB828S Datasheet (PDF)

 8.1. Size:98K  sanyo
 2sb828.pdf pdf_icon

2SB828S

 8.2. Size:213K  jmnic
 2sb828.pdf pdf_icon

2SB828S

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB828 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SD1064 Low collector saturation voltage Wide area of safe operation APPLICATIONS Relay drivers,high-speed inverters, converters,and other general high- current switching applications PINNING PIN DESCRIPTION1 Base Collector;connected to 2

 8.3. Size:220K  inchange semiconductor
 2sb828.pdf pdf_icon

2SB828S

isc Silicon PNP Power Transistor 2SB828DESCRIPTIONHigh Collector Current:: I = -12ACLow Collector Saturation Voltage: V = -0.5V(Max)@I = -6ACE(sat) CWide Area of Safe OperationComplement to Type 2SD1064Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for relay drivers,high-speed inverters,converters,and o

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SB826S , 2SB827 , 2SB827Q , 2SB827R , 2SB827S , 2SB828 , 2SB828Q , 2SB828R , B647 , 2SB829 , 2SB829Q , 2SB829R , 2SB829T , 2SB83 , 2SB830 , 2SB831 , 2SB831B .

History: BC848BF

 

 
Back to Top

 


 
.