107NU70 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 107NU70 📄📄
Material: Ge
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
Tensión colector-base (Vcb): 32 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 1 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 65
Encapsulados: TO1
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107NU70 datasheet
101nu70-71 102nu70-71 103nu70-71 104nu70-71 105nu70-71 106nu70-71 107nu70-71 gc507 gc508 gc509 gc515 gc516 gc517 gc518 gc519 gf505 gf506 gf507 af106 af109r af239 af139.pdf
efc2k107nuz.pdf
EFC2K107NUZ MOSFET Power, Dual, N-Channel, for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection www.onsemi.com 12 V, 2.85 mW, 20 A This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device VSSS RSS(ON) MAX IS MAX is suitable for applications such as power switches of portable 12 V 2.85 mW @ 4.5 V 20 A machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications. 3.1 mW @ 3.8 V
Otros transistores... 101NU70, 102NU70, 103NU70, 104NU70, 104T2, 105NU70, 106NU70, 1074GE, C1815, 108T2, 109T2, 111T2, 111T2-18, 121-1003, 121-1019, 121-1029, 121-1029-01
Parámetros del transistor bipolar y su interrelación.
History: RT2P26M | MMBT5172 | MMBT5551Q | MMBT5550LT1 | BSX51B | 3DD13005 | BSX53A
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: ZDT6705 | GA1L4Z | GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L
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