107NU70 Todos los transistores

 

107NU70 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 107NU70
   Material: Ge
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 32 V
   Tensión emisor-base (Veb): 10 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.01 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 90 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 1 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 65
   Paquete / Cubierta: TO1
 

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107NU70 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:166K  tesla
 101nu70-71 102nu70-71 103nu70-71 104nu70-71 105nu70-71 106nu70-71 107nu70-71 gc507 gc508 gc509 gc515 gc516 gc517 gc518 gc519 gf505 gf506 gf507 af106 af109r af239 af139.pdf pdf_icon

107NU70

 9.1. Size:176K  onsemi
 efc2k107nuz.pdf pdf_icon

107NU70

EFC2K107NUZMOSFET Power, Dual,N-Channel, for 1-CellLithium-ion BatteryProtectionwww.onsemi.com12 V, 2.85 mW, 20 AThis Power MOSFET features a low on-state resistance. This deviceVSSS RSS(ON) MAX IS MAXis suitable for applications such as power switches of portable12 V 2.85 mW @ 4.5 V 20 Amachines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications.3.1 mW @ 3.8 V

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History: 2N1479

 

 
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