107NU70 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 107NU70  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 32 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.01 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 90 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 65

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 107NU70

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

107NU70 даташит

 0.1. Size:166K  tesla
 101nu70-71 102nu70-71 103nu70-71 104nu70-71 105nu70-71 106nu70-71 107nu70-71 gc507 gc508 gc509 gc515 gc516 gc517 gc518 gc519 gf505 gf506 gf507 af106 af109r af239 af139.pdf pdf_icon

107NU70

 9.1. Size:176K  onsemi
 efc2k107nuz.pdf pdf_icon

107NU70

EFC2K107NUZ MOSFET Power, Dual, N-Channel, for 1-Cell Lithium-ion Battery Protection www.onsemi.com 12 V, 2.85 mW, 20 A This Power MOSFET features a low on-state resistance. This device VSSS RSS(ON) MAX IS MAX is suitable for applications such as power switches of portable 12 V 2.85 mW @ 4.5 V 20 A machines. Best suited for 1-cell lithium-ion battery applications. 3.1 mW @ 3.8 V

Другие транзисторы: 101NU70, 102NU70, 103NU70, 104NU70, 104T2, 105NU70, 106NU70, 1074GE, C1815, 108T2, 109T2, 111T2, 111T2-18, 121-1003, 121-1019, 121-1029, 121-1029-01